Insulated gate bipolar transistors; Performance evaluation; MOSFET; Silicon carbide; Switching frequency; Switching loss; Switches;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:基于15 kV SiC IGBT和10 kV SiC MOSFET的多电平转换器实现的固态变压器和中压电网连接应用
机译:使用Si IGBT和SiC MOSFET的直接矩阵转换器和间接矩阵转换器之间的实验效率比较
机译:1200 V级Si-IGBT和SiC-MOSFET的功率转换器的理论损耗分析
机译:中电压SiC-MOSFET启用的中电压DC应用的功率转换器的设计与控制
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:基于Si IGBT的转换器中SiC MOSFET的引入:可靠性和效率分析