机译:具有等离子体增强原子层沉积的AIO_xN_y栅极绝缘体的常关型凹栅AlGaN / GaN MOS-HFET
机译:具有等离子体增强原子层沉积的AiO_xn_y栅极绝缘体,常关凹槽AlGaN / GaN MOS-HFET
机译:采用氢氟酸预处理的低栅极漏电流的常关型AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:晶闸栅极常压的低欧姆接触电阻AlGaN / GaN MIS-HEMT与δ掺杂的GaN帽层
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:AlGaN / GaN界面下方的P掺杂区,用于常关型HEMT
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管