A; B; compounds; LT-GaAs layer; MBE; crystallographic properties; silicon substrate;
机译:在邻近(001)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
机译:MBE工艺在邻近Si(001)衬底上生长的GaAs薄膜的表面形态和晶体学性质
机译:LT-GaAs层对MBE在Si衬底上生长的外延GaAs膜的晶体性能的影响
机译:在邻近底物Si(001)上的Gaas MBE:成核和生长条件对外延层的晶体性质的影响
机译:在锗(001)衬底上生长外延锗(1-y)碳(y)层期间的碳结合。
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:通过高迁移率的金属有机化学气相沉积在300mm si(001)衬底上外延生长反相无边界Gaas层
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数