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【24h】

Butt-joint integration of active optical components based on InP/AlInGaAsP alloys

机译:基于InP / AlInGaAsP合金的有源光学组件的对接集成

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摘要

We demonstrate all-active planar high quality butt-joint (BJ) integration of a QW Semiconductor Optical Amplifier (SOA) and MQW Electro-Absorption Modulator (EAM) based on an InP/AlInGaAsP platform. The degradation of the optical properties in the vicinity of ~1 μm to the BJ interface was determined by means of μPL measurements.
机译:我们展示了基于InP / AlInGaAsP平台的QW半导体光放大器(SOA)和MQW电吸收调制器(EAM)的全有源平面高质量对接(BJ)集成。通过μPL测量来确定BJ界面〜1μm附近光学性能的下降。

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