Molybdenum disulfide (MoS2); capacitor; high-k; interface defects; top-gated transistor;
机译:臭氧预处理用于高性能MoS2顶栅晶体管的高K氧化物在MoS2上的集成与厚度相关的载流子散射研究
机译:界面状态在MOS电容器中的影响和起源和单层MOS2和HFO2高k电介质
机译:具有Al2O3 / HFO2的栅极堆叠电介质的顶门和底门多层MOS2晶体管的比较研究
机译:具有高k电介质的顶级MoS2电容器和晶体管用于接口研究
机译:低压有机薄膜晶体管(OTFT),具有溶液处理的高k介电层和界面工程。
机译:单层MoS2和HfO2高介电常数MOS电容器中界面状态的影响和起源
机译:具有高k电介质的顶栅二硫化钼场效应晶体管的电学特性