III-V semiconductors; MISFET; alumina; gallium compounds; high electron mobility transistors; wide band gap semiconductors; ALD; Alsub2/subOsub3/sub-GaN-AlGaN-GaN; C-V characteristics; NHsub3/sub-Ar-Nsub2/sub; NIL; electrical characteristics; interface enhancement technology; low interface trap density; monocrystal-like nitridation inteifical-Iayer; situ low-damage pregate plasma treatment; Abstracts; Capacitance; Fabrication; Gallium arsenide; Gallium nitride; HEMTs; MODFETs;
机译:GaN基MIS-HEMT中负偏压引起的阈值电压不稳定性和齐纳/界面陷阱机制
机译:表面氮化可改善GaN MIS-HEMT中的介电/Ⅲ族氮化物界面
机译:氮等离子体氮化抑制氮化诱导的界面陷阱和空穴迁移率降低
机译:氮化界面技术:在III族氮化物中的低界面陷阱密度和高稳定性
机译:具有低界面陷阱和低泄漏密度的III-V CMOS上的高比例高介电常数氧化物。
机译:光捕获诱导III-氮化物纳米棒/ Si(111)异质结太阳能电池的高短路电流密度
机译:闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系
机译:估算mOs氧化物阱,界面陷阱和边界陷阱密度的简单方法