CoSilt; infgt; 2lt; /infgt; silicide; fully silicide; threshold voltage); work function;
机译:适用于p型FinFET高k /金属栅极器件的有效功函数控制技术
机译:鳍数对多鳍三栅极n型和p型FinFET器件性能和可靠性的影响
机译:非易失性纳米晶体闪存器件中嵌入HfO_2栅氧化物中的硅化钴纳米晶体的存储特性
机译:未来有希望的P型FinFET器件在栅极上不加硅化钴或不加硅化钴
机译:用于能效的Sub-10nm双栅极FinFet的装置电路分析
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
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