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机译:适用于p型FinFET高k /金属栅极器件的有效功函数控制技术
GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY 12020 USA;
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Effective work function; Replacement Metal Gate (RMG); Hafnium oxide; Oxygen vacancy;
机译:功函数变化对高k /金属栅极无结FinFET和全方位栅极纳米线MOSFET模拟品质因数的影响
机译:氟注入可有效控制p型金属氧化物半导体高k金属栅叠层中的功函数
机译:TiN / TaN双层堆叠厚度的高k /金属栅极nMOSCAP的有效功函数调整方法
机译:一个新的变化图,用于检查先进的高k金属栅CMOS器件中界面偶极感应功函数的变化
机译:具有高k栅极氧化物和金属栅极的MOS器件中的辐射响应。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:高k金属栅极UTBB-FDSOI器件中的有效场和通用迁移率