thallium compounds; indium compounds; gallium arsenide; molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth; semiconductor lasers; optical fabrication; optical fibre communication; optical communication equipment; wavelength division multiplexing; refractive index; energy gap; current density; thermo-optical effects; distributed feedback lasers; III-V semiconductors; semiconductor epitaxial layers; gas source MBE; temperature-insensitive wavelength laser diodes; WDM optical fiber communication system; temperature coefficient; refractive index; band-gap EO edge; current injection pulsed laser; 1665 nm; TlInGaAs-InP;
机译:长波长材料的气源MBE生长及其在半导体激光器中的应用
机译:气源MBE的生长以及对ling波长应用的TlInGaP和TlGaAskkkk层的表征
机译:固态光源MBE在1200 nm波长范围内以低生长速率生长的低阈值GaInAs量子阱激光器
机译:含Tl半导体的气体源MBE生长及其在对温度不敏感的波长激光二极管中的应用
机译:用于激光二极管的稀土掺杂氮化镓的分子束外延(MBE)生长。
机译:波长扫描半导体环形激光器的数值研究:折射率非线性在半导体光放大器中的作用及其对生物医学成像应用的影响
机译:半导体激光二极管的多波长注入锁定及其应用。
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质