An analytical model for predicting forming/switching time in conductive-bridge resistive random-access memory (CBRAM)

机译：用于预测导电桥电阻随机存取存储器中成形/切换时间的分析模型（CBRAM）

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Analytical solutions (i.e., compact model) to differential equations governing the surface movement of conductive filament (CF) in CBRAM have been developed. Time needed for forming and switching of memory cell can readily be evaluated based on the device structure and the applied bias. The accuracy of the model has been verified by comparison to both experimental and numerical simulation results for Ag-GeS2-W CBRAM cells.

机译：已经开发出CBRAM中导电丝（CF）表面运动的分析溶液（即紧凑型模型）。可以基于器件结构和施加的偏置来容易地评估形成和切换存储器单元所需的时间。通过与Ag-Ges2-W CBRAM细胞的实验性和数值模拟结果相比，已经验证了模型的准确性。

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来源
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》|2013年||共4页
会议地点
作者
Lv Shaoli; Liu Jun; Sun Lingling; Wang He;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN3-53;
关键词
CBRAM; cation migration; filament growth;

机译：CBRAM;阳离迁移;灯丝生长;

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