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机译:正硅酸乙酯在400℃下沉积的正硅酸乙酯基等离子增强化学气相沉积氧化膜的性能和电学表征
机译:多晶硅薄膜晶体管的等离子增强化学气相沉积法沉积纯氢化非晶硅
机译:等离子增强化学气相沉积法沉积非晶态氮氧化硅膜的化学和形态学性质
机译:从100℃至400℃的非晶硅膜的等离子体增强化学气相沉积的表征
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:纳米硅晶嵌入到非晶硅基质中:多晶硅膜膜,通过等离子体增强化学气相沉积获得
机译:非晶硅等离子体增强化学气相沉积过程中放电动力学和等离子体化学模型