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公开/公告号CN201801589U
专利类型实用新型
公开/公告日2011-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市拓日新能源科技股份有限公司;
申请/专利号CN201020540460.0
发明设计人 陈五奎;李文江;任陈平;刘强;黄振华;
申请日2010-09-25
分类号C23C16/44(20060101);C23C16/24(20060101);
代理机构44237 深圳中一专利商标事务所;
代理人张全文
地址 518000 广东省深圳市南山区侨香路6060香年广场A栋8楼
入库时间 2022-08-21 23:18:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-20
授权
机译: 用电子束结晶化等离子体增强化学气相沉积形成的氢态非晶硅薄膜的方法,制造多晶硅硅酸盐薄膜的方法和用该方法制造的多晶硅硅酸盐薄膜的方法
机译: 等离子体增强化学气相沉积系统,非晶硅基薄膜及其制造方法
机译: Cat-PECVD(催化等离子体增强化学气相沉积)方法,使用相同的材料制成的薄膜,以及配备有该薄膜的薄膜设备
机译:各种衬底材料对等离子体增强化学气相沉积沉积的非晶硅氮氧化物薄膜微观结构和光学性能的影响
机译:通过等离子体增强化学气相沉积的多相结构氢化非晶硅氮化膜薄膜
机译:在等离子体增强化学气相沉积中沉积的氢化非晶硅薄膜中通过p-n结形成的高二阶非线性
机译:电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的器件相关掺杂非晶硅薄膜
机译:用于有源矩阵液晶显示器的非晶硅薄膜晶体管的等离子体增强化学气相沉积问题
机译:193 nm ArF受激准分子激光在激光辅助等离子体增强SiNx的化学气相沉积中的作用以进行低温薄膜封装
机译:使用高速率等离子体增强化学气相沉积非晶硅在带纹理的玻璃上的先进多晶硅薄膜太阳能电池
机译:非晶硅等离子体增强化学气相沉积过程中放电动力学和等离子体化学模型