Silicon Carbide; MOSFET; IGBT; Voltage Source Converter; conduction losses;
机译:最先进300A / 1700V SI IGBT和SIC MOSFET电源模块的性能比较
机译:与Si IGBT模块相比,大功率SiC MOSFET模块的性能评估
机译:光伏DC / AC逆变器中SiC MOSFET和Si IGBT功率模块的电热约束比较
机译:比较包括反向传导的1700V Si IGBT和SiC MOSFET模块的功率损耗
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:多芯片SIC MOSFET模块多物理仿真辅助光学测量的热阻抗表征
机译:六组件siC mOsFET和si IGBT模块的实验性能比较,以半桥配置并联用于高温应用