Cache memory; Static noise margin distribution; Robust operation; Active power; Standby power distribution; Double gate MOSFET; Process variations;
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:在工艺电压-温度变化的情况下,一个20 nm健壮的单端无升压7T FinFET亚阈值SRAM单元
机译:采用14nm FinFET技术的低泄漏亚阈值9T-SRAM单元
机译:在过程参数波动下具有动态阈值电压调谐的FinFET SRAM细胞统计数据稳定性和泄漏评估
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:可以调整细胞外电压阈值设置以最佳地编码运动和刺激参数
机译:准确模拟基于纳米级FinFET的sRam单元稳定性的工艺和统计可变性之间的相互作用