Radio frequency; 5G mobile communication; Impedance matching; Radio transmitters; Power amplifiers; Switches; Power system harmonics;
机译:130 nm SiGe BiCMOS中的高增益100-180 GHz差分功率放大器的分析和设计
机译:具有集成正交电压控制振荡器和RF放大器的1.2V低功耗全频带低功耗UWB发射器,采用130NM CMOS技术
机译:具有亚阈值操作的130 NM CMOS技术的低功耗,低噪声放大器
机译:1.95GHz 28dBm全集成封装功率放大器,采用H9SOIFEM CMOS 130nm设计,具有80%的3G FOM(PAE + ACLR):开发优化的高性能RF SOI功率单元
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:J 28 NM CMOS FD-SOI技术的5G应用A类功率放大器
机译:采用90nm CmOs技术的205GHz放大器。