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Power amplifier in bicmos technology having an output stage in MOS technology

机译:bicmos技术中的功率放大器具有MOS技术中的输出级

摘要

The present invention relates to a power amplifier having an output stage in MOS technology, including an upper half-output stage comprised of two P-channel MOS power transistors mounted as a current mirror, a lower half-output stage comprised of two N-channel MOS power transistors mounted as a current mirror, an output terminal of the amplifier corresponding to the common drains of a first MOS transistor of the upper stage and of a first MOS transistor of the lower stage, and a control stage in bipolar technology for setting, according to a control voltage, two control currents of the half-output stages.
机译:具有MOS技术的输出级的功率放大器技术领域本发明涉及一种具有MOS技术中的输出级的功率放大器,包括由安装为电流镜的两个P沟道MOS功率晶体管组成的上半部输出级,由两个N沟道组成的下半部输出级。安装为电流镜的MOS功率晶体管,对应于上级的第一MOS晶体管和下级的第一MOS晶体管的公共漏极的放大器的输出端子,以及用于设置的双极技术的控制级,根据控制电压,半输出级的两个控制电流。

著录项

  • 公开/公告号US5910748A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.A.;

    申请/专利号US19970893248

  • 发明设计人 MARIUS REFFAY;DANIKA CHAUSSY;

    申请日1997-07-16

  • 分类号H03K17/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:07:58

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