MESFET; Self-heating and Annealing; SiC; Specific on-resistance;
机译:具有低温生长的GaAs钝化层的GaAs MESFET中跨导和输出电阻的频散
机译:完全植入的4H-SiC MESFET的跨导频率色散测量
机译:基于跨导参数beta测量确定MESFET的有效沟道厚度
机译:考虑制造参数和迁移率随温度变化的SiC MESFET电阻和跨导分析
机译:温度传感器的β和SiC的电导率和迁移率与温度的关系
机译:认知功能与现实中的流动性比与实验室流动性参数更紧密相关
机译:VJFET技术与MESFET制造的兼容性及其对系统集成的兴趣:为6H和4H-SIC 110 V外侧MESFET制作
机译:siC mEsFET的拉曼通道温度测量与环境温度和直流功率的关系