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Downsizing of Ferroelectric-Gate Field-Effect-Transistors for Ferroelectric-NAND Flash Memory Cells

机译：铁电栅极场效应晶体管的缩小性，用于铁电NAND闪存单元

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《IEEE International Memory Workshop 》|2011年||共4页
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作者
Hai Le Van; Takahashi Mitsue; Sakai Shigeki;
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正文语种
中图分类 TP333-53;
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