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Downsizing of Ferroelectric-Gate Field-Effect-Transistors for Ferroelectric-NAND Flash Memory Cells

机译：用于铁电与非快闪存储单元的铁电门场效应晶体管的小型化

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《2011 3rd IEEE International Memory Workshop》|2011年|p.1-4|共4页
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Hai Le Van; Takahashi Mitsue; Sakai Shigeki;
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中图分类存贮器;
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