III-Nitrides; UV Photodetector; Tunneling; Avalanche Breakdown;
机译:在块状GaN衬底上制造的GaN MSM光电探测器的低暗电流和内部增益机制
机译:基于多孔GaN的MSM光电探测器中暗电流降低的研究
机译:基于多孔GaN的MSM光电探测器中暗电流降低的研究
机译:Al(GaN)MSM光电探测器中击穿机制的研究
机译:亚微米级MSM光电探测器中的电荷收集机制:现场分析。
机译:具有逐步梯度AlxGa1-xN缓冲层的GaN MSM UV光电探测器的选择性增强的UV-A光响应性
机译:具有阶梯级alxGa1-xN缓冲层的GaN msm UV光电探测器的选择性增强UV-a光响应性