机译:通过SIMOX技术在SOI衬底上采用SiO_2屏蔽层阳极的电导率调制增强型横向IGBT〜*
机译:通过SIMOX技术在SOI衬底上采用SiO_2屏蔽层阳极的电导率调制增强型横向IGBT〜*
机译:使用单个工艺在相同6英寸衬底上制造的600V 4H-SiC垂直和横向MOSFET的实验分析
机译:SIMOX基板上的智能垂直沟槽DMOS
机译:适用于大功率MOSFET和IGBT的智能栅极驱动器。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:使用SIMOX基板的中掺杂非悬浮硅纳米线压敏电阻
机译:在最先进的sImOX和ZmR sOI基板上生长的栅极氧化物质量。(重新公布新的可用性信息)