首页> 外文会议>Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93 >Structural optimization of quantum confined Stark shift in InGaAs/InGaAsP quantum wells
【24h】

Structural optimization of quantum confined Stark shift in InGaAs/InGaAsP quantum wells

机译:InGaAs / InGaAsP量子阱中量子约束斯塔克位移的结构优化

获取原文

摘要

We have performed a study of differently shaped InGaAs/InGaAsP quantum wells (Lz = 10 nm) with a view to finding the structure which produces the largest quantum confined Stark shift. We find both theoretically and experimentally that our greatest shift is produced by the structure composed of stepped quantum wells.
机译:我们已经对不同形状的InGaAs / InGaAsP量子阱(L z = 10 nm)进行了研究,以寻找产生最大量子受限Stark位移的结构。我们在理论上和实验上都发现,我们最大的位移是由阶梯式量子阱组成的结构产生的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号