CMOS integrated circuits; voltage control; phase control; work function; MOSFET; dual workfunction; Ni-silicide-HfSiON/int; gate stacks; phase-controlled full-silicidation technique; LSTP devices; LOP devices; voltage control technique; LOP CMOS; LSTP CMOS; phase control; silicidation anneal; effective workfunctions; PMOS transistor; NMOS transistor; mobility characteristics; NiSi; SiO/sub 2/; Ni/sub 3/Si;
机译:具有用于LSTP应用的多晶硅/硅叠层栅的高度可制造且可靠的HfSiON N-FET
机译:双材料双层栅极堆叠SON MOSFET:增强模拟性能的新型架构-第一部分:栅极金属功函数工程的影响
机译:对先进的互补金属氧化物半导体器件进行多晶硅/ TaN / HfSiON栅堆叠的干法蚀刻
机译:采用相控全硅化(PC-FUSI)技术的45nm节点LSTP和LOP器件的双功函数Ni-Silicide / HfSiON栅堆叠
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件