dielectric thin films; nitridation; oxidation; plasma materials processing; semiconductor process modelling; silicon compounds; fitting parameters; oxidation process; plasma oxidation mechanism; ultrathin silicon oxide films;
机译:室温等离子体氧化机理获得超薄氧化硅和氧化钛层
机译:超薄栅极氧化物中软击穿传导机制的电压和温度依赖性的一致模型
机译:金上的氧化铅超薄膜:化学计量,稳定性和厚度取决于O-2压力和退火温度
机译:依赖于施加到超薄氧化物的等离子体氧化机制的压力和温度
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:高温氧辅助分子束外延在Ru(0001)上生长的超薄镍铁氧化物的结构和磁性
机译:微波等离子体余辉氧化在低温下生长的氟化和N2O等离子体退火的超薄氧化硅的基本电性能
机译:CIO CIO反应的动力学和机理:双分子和分子通道的压力和温度依赖性以及过氧化氯,CIOOCI的热分解