gallium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; semiconductor epitaxial layers; MOCVD coatings; rapid thermal annealing; deep level transient spectroscopy; hole traps; minority carriers; crystal defects; electron;
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机译:GaAsN外延层的金属有机化学气相沉积:微观结构和光学性质
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机译:由金属化学气相沉积生长GaAsn脱落器孔陷阱演化的影响
机译:金属化学气相沉积种植的氮化镓外膜中的极性控制
机译:金属有机化学气相沉积生长基于ZnGa2O4外延层的NO气体传感器
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