机译:0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS技术中的总剂量对浅沟槽隔离漏电流特性的影响
机译:采用0.35 / spl mu / m高密度BiCMOS SRAM技术的规模化,高性能(4.5 fJ)双极器件
机译:将双多晶硅发射极基自对准双极晶体管集成到0.5微米的BiCMOS技术中,以实现快速的4 Mb SRAM
机译:双极工艺集成0.25 / SPL MU / M BICMOS SRAM技术的使用浅沟槽隔离
机译:商用深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离边界单光子雪崩二极管。
机译:0.25μmCMOS工艺中的MEMS集成实验
机译:64-GBD DP-Bipolar-8ASK传输超过120公里的SSMF,采用单片集成的驱动器和MZM,在0.25-μmsige bicmos技术中
机译:0.5微米浅沟槽211隔离技术中产量限制缺陷的识别