机译:使用0.2- / splμ/μm干式GaAs PHEMT的高性能Ka波段单片低噪声放大器
机译:高功率密度AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT,采用针对Ka频段应用的优化制造工艺
机译:增强/耗尽型双δ掺杂AlGaAs / InGaAs pHEMT的温度相关特性及其单片DCFL集成
机译:KA波段Algaas / Ingaas Phemt单片低噪声放大器
机译:60和94 GHz准光学单片PHEMT放大器。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:Ka波段单片PHEMT低噪声反馈放大器的建模与表征
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率