机译:用于65 nm CMOS技术的等离子掺杂制造N + / P超浅结
机译:掺磷氧化硅薄膜用于制备100 nm以下SOI MOSFET的固相扩散超浅结特性
机译:硅锗在100 nm以下PMOSFET超浅延伸结的制造中的应用
机译:低于100 nm CMOS的超浅结掺杂技术
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:在具有沿着硬轴偏置的超薄mgO势垒的低于100nm的磁隧道结中的磁化反转