机译:具有Si / Ge超晶格沟道和带间隧穿引起的热电子注入的p沟道电荷陷阱闪存器件的性能增强
机译:MOS器件中的电子带间隧穿引发栅极电流注入
机译:隧道器件中带间隧道电流对温度的依赖性大
机译:铱锑电荷注射装置的带对带隧道电流的二维计算
机译:调整有机电子设备的光学,电荷注入和电荷传输特性。
机译:单个和堆积的钌-吡啶吡啶分子器件中的电荷和自旋运输:第一性原理计算的启示
机译:siGe沟道和HfO2隧道介质在p沟道闪光中增强带间隧穿引发的热电子注入
机译:具有完全电荷转移的铟 - 锑化物二维电荷注入器件阵列的研制