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机译:隧道器件中带间隧道电流对温度的依赖性大
Imec B-3001 Leuven Belgium|Katholieke Univ Leuven Dept Elect Engn B-3001 Leuven Belgium;
Imec B-3001 Leuven Belgium;
Imec B-3001 Leuven Belgium|Katholieke Univ Leuven Dept Elect Engn B-3001 Leuven Belgium|Univ Antwerp Dept Phys B-2020 Antwerp Belgium;
Band-to-band tunneling (BTBT); Esaki diode; tunnel FET (TFET); MOSFET; temperature;
机译:辐照全耗尽SOI器件中的带间隧穿引起的漏泄漏的栅长和漏偏压依赖性
机译:辐射完全耗尽的SOI器件中的带间隧道(BBT)引起的漏电流增强
机译:MOS器件中的电子带间隧穿引发栅极电流注入
机译:RTCVD生长的SiGe / Si异质结隧道二极管中的带隙隧穿和缺陷介导的过电流的带隙依赖性
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:单个铁磁体/ Nb:SrTiO3肖特基器件中的大型室温隧穿各向异性磁阻和电阻率
机译:不同温度下线隧道FET器件设计电流镜电路的分析
机译:隧道电流对超晶格器件结构变化的依赖性