CMOS integrated circuits; electrostatic discharge; leakage currents; thyristors; 65 nm; 90 nm; CMOS technology; DC leakage current; electrostatic discharge protection; failure current; silicon controlled rectifier; ESD protection circuits; Electrostatic discharge (ES;
机译:基于SCR的基于SCR的ESD保护器件的深亚微米CMOS技术设计
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机译:新型基于SCR的CMOS / BiCMOS技术中BSD保护器件的设计和集成
机译:在90nm和65nm CMOS技术中评估基于SCR的ESD保护装置
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护