Ge-Si alloys; MOSFET; carrier mobility; leakage currents; tunnelling; MOSFET; SiGe; SiGe device; band-to-band-tunneling; mobility channel; optimal structure;
机译:超薄SOI MOSFET中的低场电子迁移率:实验特性和理论研究
机译:超薄SOI n和p-MOSFET中低场迁移率的测量
机译:蒙特卡洛深入研究超薄体DGMOSFET的低场迁移率,用于建模
机译:低缺陷超薄完全应变-GE MOSFET在轻松的SI上,具有高迁移率和低带对带隧道(BTBT)
机译:超薄氧化ha门控MOSFET的迁移率和驱动性能。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:具有邻近(1°)偏角的C(000-1)外延衬底上制作的4H-siC mOsFET的高反型沟道迁移率
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。