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【24h】

Impact of Epitaxial NiSi/sub 2/ Source/Drain on Short Channel Effect and Line Edge Roughness in Extremely Scaled MOSFETs

机译：外延NiSi / sub 2 /源极/漏极对超大规模MOSFET中短沟道效应和线边缘粗糙度的影响

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来源
《》|2005年|P.111-112|共2页
会议地点
作者
Migita; S.; Mise; N.; Watanabe; Y.; Kadoshima; M.; Fujiwara; H.; Ohno; M.; Takaba; H.; Iwamoto; K.; Ogawa; A.; Nabatame; T.; Satake; H.; Toriumi; A.;
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作者单位

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正文语种
中图分类工业技术;
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1. Short channel characteristics of Si MOSFET with extremely shallow source and drain regions formed by inversion layers [J] . Noda H., Murai F. IEEE Transactions on Electron Devices . 1994,第10期

机译：具有由反转层形成的极浅源极和漏极区的Si MOSFET的短沟道特性
2. Impact of shallow source/drain on the short-channel characteristics of pMOSFETs [J] . Kurata H., Sugii T. IEEE Electron Device Letters . 1999,第2期

机译：浅源极/漏极对pMOSFET短沟道特性的影响
3. Impact of source-to-drain tunnelling on the scalability of arbitrary oriented alternative channel material nMOSFETs [J] . Quentin Rafhay, Raphaeel Clerc, Gerard Ghibaudo, Solid-State Electronics . 2008,第10期

机译：源极到漏极隧道对任意取向的替代沟道材料nMOSFET的可扩展性的影响
4. Impact of Epitaxial NiSi/sub 2/ Source/Drain on Short Channel Effect and Line Edge Roughness in Extremely Scaled MOSFETs [C] . Migita S., Mise N., Watanabe Y., International Semiconductor Device Research Symposium . 2005

机译：外延NISI / SUB 2 / SOURT /漏极在极缩小MOSFET中对短沟道效应和线边缘粗糙度的影响
5. Source/drain engineering for extremely scaled MOSFETs. [D] . Zhang, Zhikuan. 2005

机译：适用于超大规模MOSFET的源/漏工程。
6. Multi-objective optimization of MOSFETs channel widths and supply voltage in the proposed dual edge-triggered static D flip-flop with minimum average power and delay by using fuzzy non-dominated sorting genetic algorithm-II [O] . Farshid Keivanian, Nasser Mehrshad, Abolfazl Bijari -1

机译：拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
7. Design Considerations of Electrically Induced Source/Drain Junction SOI MOSFETs for the Reduced Short Channel and Hot Carrier Effects [O] . Santosh Kumar Gupta, S. Baishya 2011

机译：用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素
8. Antimonide-Based Heterostructure p-Channel MOSFETs With Ni-Alloy Source/Drain. [R] . Yun, Z., Kumar, A., Chen, C., 2013

机译：具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。

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