indium compounds; gallium compounds; III-V semiconductors; semiconductor heterojunctions; bipolar transistors; semiconductor doping; semiconductor device testing; heterojunction bipolar transistors; low offset voltage; low collector current blocking; InGaAs spacers; n-type InP layer; doping concentration; InGaAs-InP;
机译:具有高电流增益和低失调电压的InP / InGaAs变质δ掺杂异质结双极晶体管
机译:具有极低失调电压的InP / InGaAs pnpδ掺杂异质结双极晶体管的研究
机译:低电流,高速InP / InGaAs异质结双极晶体管的新平面化工艺
机译:具有低偏移电压和电流阻塞的InGaAs / InP异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:用于超低功耗电路应用的InGaas / Inp异质结双极晶体管