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低暗电流的正面进光高速InGaAs/InP光电二极管

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本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb/s有平坦的响应曲线.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|13-15|共3页
会议地点大连
作者
曾庆明; 李献杰; 蒲运章; 乔树允; 王全树;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体二极管;
关键词
InGaAs; InP; 光电探测器; 光电二极管; 制造技术;

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