silicon; elemental semiconductors; oxygen; precipitation; point defects; stacking faults; hydrogen; Fokker-Planck equation; oxygen precipitation; model; simulation; precipitate-point defect interaction; hydrogen; stacking fault; Czochralski silicon wafer;
机译:氢氧模型中硼氧缺陷的形成和钝化速率对减轻载流子诱导的硅降解的影响
机译:通过协同作用增强疏水相互作用和氢键强度:凝血酶抑制剂同类的合成,建模和分子动力学模拟。
机译:氢化氮化硅层的氢渗出对结晶硅中硼氧相关缺陷再生的影响
机译:Si中氧沉淀的建模与仿真:沉淀点缺陷相互作用及氢气的影响
机译:金属中的气体扩散:铁中氦点缺陷相互作用和氢化锆脱氢动力学的基础研究。
机译:小儿肺血管患者特定模型中先天性间隔缺损闭合和反应性测试的模拟:具有流固耦合的3D数值研究
机译:氢化氮化硅层对晶体硅硼氧相关缺陷再生的影响