机译:AlGaInP应变多量子阱可见激光二极管(λ/ sub L />或= 630 nm波段),在取向错误的衬底上生长有多量子势垒
机译:具有多量子势垒的630 nm波段拉伸应变多量子阱AlGaInP激光二极管的大功率工作
机译:具有多量子势垒的610 nm波段AlGaInP应变多量子阱激光二极管的室温CW操作
机译:高性能630-NM频段ALALP应变具有多量子孔激光二极管,具有多谜屏障
机译:中红外多量子阱激光器,使用数字生长的铝铟砷锑化物势垒和应变铟砷锑化物阱。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:alGaInp激光二极管采用3λ/ 4多量子势垒
机译:高速,应变层,多量子阱,GaInasp和Gaas激光器和异质结构