机译:基于精确电荷控制特性的二维电子气场效应晶体管的直流,小信号和噪声建模
机译:二维电子气场效应晶体管中寄生源电阻的精确建模
机译:伪形二维电子气场效应晶体管中的电荷控制分析
机译:基于精确充电控制特性的二维电子气体效应晶体管噪声模拟
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:场效应晶体管中的二维过渡金属双硫族化物及其电荷载流子迁移率
机译:凹陷栅极GaN高电子迁移率晶体管二维电子气体电荷密度的分析模型