首页> 外文会议>Joint Conference of ICCP6 and CCP2003: Dominance of Information Technology in the Global Intellectual and Economic Landscapes in the 21st Century >Analytical Model for the DC Ⅰ-Ⅴ Characteristic of N-Channel 4H-SiC MOSFET Based on Surface Potential
【24h】

Analytical Model for the DC Ⅰ-Ⅴ Characteristic of N-Channel 4H-SiC MOSFET Based on Surface Potential

机译:基于表面电势的N沟道4H-SiC MOSFET DCⅠ-Ⅴ特性的解析模型

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