The Institute of Low-energy Nuclear Physics, Beijing Normal University, Beijing, 100875. China;
机译:用于低光电流应用的质子注入GaAs-AlGaAs多量子阱调制器的实验研究
机译:用于无线通信应用的具有双硅离子注入的GaAs功率MESFET的特性
机译:波导InGaAs / InP引脚光电二极管与本地离子注入JFET的单片集成,用于接收器OEIC应用
机译:选择性注入诱导混合在V槽AlGaAs / GaAs耦合量子线上的应用
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:通过注入铁离子开发InGaAsP光电导体,用于近红外成像和太赫兹光谱
机译:二次离子质谱法表征植入物到Gaas和Gap波导和集成光学应用。