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THE APPLICATION OF ION IMPLANTATION IN GaAs IC

机译:离子注入在GaAs IC中的应用

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摘要

This paper reports the applications of ion implantation in planar GaAs device fabrication, including Si ion inplantation to create high quality channels, O and H ion implantation to produce device isolation, and MeV Si and O ion implantation to form internal links.
机译:本文报道了离子注入在平面GaAs器件制造中的应用,包括用于创建高质量通道的硅离子注入,用于产生器件隔离的O和H离子注入以及用于形成内部链接的MeV Si和O离子注入。

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