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Esfan.R; 刘涌;
不详;
放大器 ; 微波集成电路 ; 离子注入 ; 砷化镓 ;
机译:离子注入GaAs MMIC IF放大器的加速老化和长期可靠性研究
机译:使用0.5μm栅长的离子注入GaAs / AlGaAs异质结FET技术的Ka波段单片放大器
机译:GaAs MMIC功率放大器的完全互连可靠性研究
机译:GaAs MMIC放大器的可靠性研究
机译:使用等效电路模型在高功率,高频微波放大器中使用等效电路模型对氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性研究
机译:离子注入诱导混合的多波长InGaAs量子点激光器
机译:GaAs MMIC前端放大器的多项目阵列,用于加速器物理检测。
机译:离子注入剖面对Gaas mEsFET和mmIC放大器性能的影响
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
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