Sichuan Institute of Solid-state Circuits The Ministry of the Electronic Industry 14 Huayuan Road, Nanping CHONGQING 630060, China;
机译:具有通过倾斜注入形成自对准沟道的坚固SiC VDMOSFET的器件设计考虑
机译:适用于4H-SiC VDMOSFET器件的新型高级分析设计工具
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:一种新颖的自对准VDMOS器件
机译:图案化垂直对齐碳纳米管装置的产品和制造工艺质量控制
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化 ud用于高频和医疗设备
机译:用于高效发电和储存装置的对准碳纳米管。