National Institute of Standards and Technology1, 100 Bureau Dr., Gaithersburg, MD, 20899;
SiC; PiN diode; forward bias degradation; lifetime; stacking fault; high voltage; power device; reverse recovery; transient waveform; end-region recombination; parameter extraction;
机译:(000-1)C面上4H-SiC pin二极管和高压4H-SiC pin二极管的正向电压降级,正向降级减小
机译:抑制4H-SiC PiN二极管由于衬底基面位错引起的正向偏置退化的数值研究
机译:4H-SiC p〜+ nn〜+二极管中的正向偏置退化:台面蚀刻的影响
机译:4H-SiC PiN二极管中载流子复合寿命与正向压降之间的相关性
机译:纳米晶硅在正向偏置二极管中的应用。
机译:电偏压引起的有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的降解
机译:用OCVD技术测量3.3kV 4H-siC piN二极管载流子寿命温度的依赖性
机译:4H-siC piN二极管正向电压漂移动力学