Department of Materials Science 6, University of Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, DE-91058 Erlangen, Germany;
AIN single crystal; AIN-siC mixed crystals; bulk growth; crucible material; sublimation growth;
机译:SiC晶种上AIN和GaN块状晶体的升华生长
机译:SiC晶种上的AIN晶体的升华生长
机译:AIN块状单晶在4H-SiC衬底上的生长及其结构质量和生长模式演变的分析
机译:大块AIN晶体的升华生长:工艺温度和生长速率
机译:氮化铝块状晶体的升华生长和碳化硅外延层的高速CVD生长及其表征。
机译:通过逆温度结晶在几分钟内形成高质量的块状钙钛矿杂化单晶
机译:aLN块体的升华生长和siC外延层的高速CVD生长及其表征
机译:生长温度与升华法生长siC晶体结构的关系