Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body;
CoolMOS; JFETs; MOSFETs; on-state resistance; on-state; super-junction; thermal limit;
机译:反复非钳位电感开关试验对直流断路器SiC功率器件的降解特性
机译:ZnO基存储器件的低功耗双极阻性开关特性
机译:掺铝ZrHfO2栅介质的CNT场效应晶体管器件的低功率开关特性
机译:宽带隙(WBG)半导体功率开关器件的热限制
机译:基于氮化镓功率器件的射频DC-DC电源转换的基于开关电容器的部分电源架构的设计和分析。
机译:具有金纳米粒子的氧化石墨烯器件中的非极性和互补电阻切换特性:器件制造的多种方法
机译:电力半导体器件的切换特性,IGBT。