Department of Electrical and Computer Engineering, George Mason University, Fairfax, VA 22030, USA;
annealing; DLTS; ion implantation; MESFETs; SiC;
机译:块状半绝缘4H-SiC中的全离子注入MESFET
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:块状半绝缘4H-SiC衬底上具有高掺杂薄沟道层的全离子注入MESFET的RF特性
机译:低压差稳压器中的硅MESFET的评估和表征
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:4H-SIC凹槽型磁架DC特性研究
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较