Division of IC Engineering, Sun Moon University, Asan-si, Chungnam 336-708, Republic of Korea;
Department of Physics, Sun Moon University, Asan-si, Chungnam 336-708, Republic of Korea;
thermal budget; ULSI device; LTO; dielectric layer; LPCVD; N_2-gas annealing;
机译:LPCVD LTO薄膜作为未来ULSI器件的新型介电层的研究
机译:无机薄膜电致发光器件的SrTiO {sub} 3和SiO {sub} 2多层介质层的介电性能
机译:铁电和高介电常数异质结构中薄膜和界面层的科学技术及其在器件中的应用
机译:LPCVD LTO薄膜作为未来ULSI设备的新介电层的研究
机译:PLZT铁电和多层复合薄膜的介电和磁滞特性研究。
机译:具有高介电常数和低损耗的纳米复合聚对二甲苯C薄膜可用于未来的有机电子设备
机译:高性能有机薄膜晶体管和使用高介电层的非易失性存储器件