Mitsubishi Electric Co., 997 Miyoshi Nishigoshi Kumamoto 861-1197 Japan;
机译:硼和磷注入的LPCVD多晶硅薄膜中晶粒和表面粗糙度的影响
机译:硼注入硅衬底对c-BN薄膜内应力和粘附强度的影响
机译:低温激活注入多晶硅膜的硼和磷原子
机译:硼植入剂量对多晶硅膜机械应力的影响
机译:化学气相沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜在硅和蓝宝石上的生长:生长,掺杂,金属化和表征
机译:硼离子注入多晶Si1-x-yGexSny薄膜中三元合金化在室温下实现高热电性能
机译:高温制造硅植入P通道多晶硅薄膜晶体管的电特性研究