L2MP-CNRS, Universite Paul Cezanne, Case 142, 13397 Marseille Cedex 20, France;
diffusion; B; Sb; SiGe; biaxial stress;
机译:快速热退火后Si(100)上外延薄Si_(1-x)Ge_x层中Ge扩散和Si应力变化的显微拉曼表征
机译:Si_(1-x)Ge_x / Si(100)外延薄膜中失配位错传播的纳米尺度机理
机译:环形暗场图像中(100)Si上Si_(1-x)ge_x(x = 0.20)和Si_(1-y)c_y(y≤0.015)外延应变膜的组成和应变对比度
机译:Si_(1-x)Ge_x薄膜中的掺杂剂扩散:外延应力的影响
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:Y掺杂BiFeO3外延薄膜中的滚动掺杂和应变对光电化学水分解的影响
机译:掺杂剂扩散在Si 1-x / sub> Ge x sub>薄膜:外延应力的影响
机译:脉冲激光沉积外延sr(Ru(sub x)sn(sub 1-x))O(sub 3)薄膜电极和KNbO(sub 3)/ sr(Ru(sub x)sn(sub 1-x)) O(sub 3)双层