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公开/公告号CN110212084B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201910437786.6
发明设计人 韩景智;李鑫;张雄祚;杨金波;刘顺荃;
申请日2019-05-24
分类号H01L43/02(20060101);H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:13:13
机译: 负磁阻的复合陶瓷(1-x)La0.7Sr0.3MnO3 / xGeO2
机译: Ba(1-x)SRxTiyO3薄膜的形成,能够在低温下反复进行涂层和煅烧的组合物以及Ba(1-x)SRxTiyO3薄膜的形成方法
机译:LA0.7SR0.3MNO3在SRTIO3上生长的LA0.7SR0.3MNO3薄膜的外延生长和磁性/传输性能,优化生长条件
机译:显微组织和界面应变对外延Mn_3O_4 / La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3层状复合薄膜磁性能的影响
机译:表面不均匀性对(001)SrTiO_3上外延Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3 / La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3薄膜的晶体结构和磁性的影响
机译:外延LA_(0.7)(PB_(1-x)SR_X)_(0.3)MNO_3薄CMR薄膜室温辐射仪
机译:稀土锰酸盐的研究:(1)掺杂诱导从铁磁性导电到La(1-x)Ca(x)mnO(3)中电荷有序绝缘状态的过渡。 (2)场依赖性低温比稀土锰矿床
机译:La0.7Sr0.3MnO3外延超薄膜中量子干涉效应中弱局部化的证据
机译:各向异性自旋密度分布和磁各向异性 紧张的La $ _ {1-x} $ sr $ _x $ mnO $ _3 $薄膜:角度依赖的X射线磁性 圆二色性
机译:在稳定的氧化锆界面处用Y(sub 1-x)Ca(sub x)mnO(sub 3)或La(sub 1-x)sr(sub x)mnO(sub 3)阴极材料进行氧还原。